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一、产品简介
Ai 350HT型离子注入机采用成熟的光路单元技术。光路系统主要包括离子源、引出系统、质量分析器、磁透镜、加速管、静电扫描、平行透镜、靶室和片库等。配置高温加热靶台，金属Al离子源，全自动晶片传输系统。适用于SIC工艺线或常规硅基工艺线的离子注入工艺。
设备尺寸：长6750X宽3200X高2890（mm）
二、主要技术指标
序号 | 指标名称 | 指标能内容 |
1 | 晶片尺寸 | 6，8英寸 |
2 | 注入能量范围（单价离子） | 30-400 keV |
3 | 注入元素 | Al+、Ar+、N+、P+、B+ |
4 | 最大束流 | Al+≥1500uA@≥300keV B+≥1200uA@≥300keV P+≥1500uA@≥300keV N+≥1200uA@≥300keV |
5 | 注入角度 | 0-45° |
6 | 注入角度精度 | ≤0.2° |
7 | 注入均匀性（片内、片间） | 1σ≤0.5% @（6英寸、5E14、150keV） |
8 | 束流稳定度 | ≤10%/hour |
9 | 剂量范围 | 5E11～1E16 ions/cm2 |
10 | 装片方式 | 全自动 |
11 | 注入最高温度 | 550℃ |
12 | X射线泄露值 | ≤0.3μSv/h |
13 | 扫描方式 | 水平静电扫描+垂直机械扫描 |
14 | 产能（WPH） | ≥100片/小时 |
15 | 靶室真空 | 5E-7Torr |
16 | 束线真空 | 5E-7Torr |
17 | 离子源真空 | 5E-7torr |
三、主要特点
1.可视化、智能化控制软件，设备操作和故障处理简单明了，稳定性高；
2.金属Al源寿命长，≥150小时；
3.生产效率高，设备产能是同类型设备的1.5倍以上；
4.具有图形注入功能，一次性注入剂量可设置成环形状或四象限区域分布，可满足用户特定
工艺需求。例如，在一片晶圆的四个象限同时注入不同剂量，可以一次性实现四种工艺条件，
这样既可以节约客户的工艺开发成本，又能提高开发效率。
图1 四象限注入 图2 环形注入